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厂商型号

NGD18N40ACLBT4G 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 430V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

内部编号

277-NGD18N40ACLBT4G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

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美国费城
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NGD18N40ACLBT4G产品详细规格

规格书 NGD18N40ACLBT4G datasheet 规格书
NGD18N40(A)CLB
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 430V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 4.5V, 10A
- 集电极电流(Ic)(最大) 15A
功率 - 最大 115W
Input 型 Logic
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 D-Pak
包装材料 Tape & Reel (TR)
供应商封装形式 DPAK
最大栅极发射极电压 18
最大连续集电极电流 15
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
包装宽度 6.22(Max)
标准包装名称 DPAK
包装高度 2.38(Max)
安装 Surface Mount
最大功率耗散 115000
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大集电极发射极电压 430
标签 Tab
PCB 2
包装长度 6.73(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 15A
安装类型 Surface Mount
标准包装 2,500
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2V @ 4.5V, 10A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 430V
供应商设备封装 DPAK-3
功率 - 最大 115W
输入类型 Logic
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
其他名称 NGD18N40ACLBT4GOSTR
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 50A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
连续集电极电流在25 C 15 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 430 V
安装风格 Through Hole
功率耗散 115 W
最大栅极发射极电压 18 V
最低工作温度 - 55 C
最高工作温度 + 175 C
RoHS RoHS Compliant
DC Collector Current :18A
Collector Emitter Voltage Vces :1.8V
功耗 :115W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :400V
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :175°C
Transistor Case Style :TO-252
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
工作温度范围 :-55°C to +175°C
晶体管类型 :IGBT
Weight (kg) 0.00033
Tariff No. 85412900

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